Лабораторные установки нанесения покрытий с двумя устройствами магнетронного распыления

Установка поставляется с 2" устройствами магнетронного распыления; Выбор типа магнетронов (высокочастотные или постоянного тока) - по усмотрению Заказчика; Система подачи рабочего газа -от 1 до 3 каналов,возможность приготовления смеси газов; Высоковакуумный насос - турбомолекулярный; Форвакуумный насос - двухступенчатый пластинчато-роторный или спиральный; Источники питания - по количеству устройств распыления; Возможен выбор дополнительного оборудования для комплектации установки под Ваши задачи

Установки вакуумного напыления TN-MSP используются для осаждения однослойных или многослойных покрытий из проводящих и / или диэлектрических материалов. Наличие двух устройств магнетронного распыления позволяет последовательно наносить два различных материала в одном технологическом цикле. Установки являются в высокой степени универсальными, т.к. позволяют решать широкий спектр задач, связанных с нанесением покрытий методами вакуумного напыления. Преимуществом технологий магнетронного распыления является возможность распыления практически любых материалов. Исключением являются магнитные материалы: мишень из магнитного материала может значительно шунтировать поле магнитной системы магнетрона. Кроме того, в таких системах легко поддерживать стабильную и воспроизводимую скорость распыления.

Для распыления непроводящих (диэлектрических) мишеней используются высокочастотные (ВЧ, RF) устройства распыления. Питание таких устройств осуществляется с использованием генератора, работающего на частоте 13,56 МГц. Для распыления проводящих мишеней используются устройства магнетронного распыления постоянного тока. В системах магнетронного распыления источником материала для осаждаемой пленки является мишень устройства магнетронного распыления. Распыление материала мишени происходит за счет бомбардировки ее поверхности ионами рабочего газа, которые образуются в газе тлеющего разряда, локализованного непосредственно у поверхности мишени. Диаметр мишени устройств магнетронного распыления - 2 дюйма (опционально - 1 дюйм).

В стандартном исполнении установки оснащены 1 каналом подачи рабочего газа, контроль подачи газа осуществляется массовым регулятором расхода (MFC). В случае необходимости работы с несколькими газами установка может быть оснащена дополнительными каналами подачи рабочего газа (до 4 шт.), необходимый диапазон расхода газа по дополнительных каналам согласуется с Заказчиком. В случае нескольких каналов подачи газа возможно приготовление газовой смеси нужного состава.